魔爪文学

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第一八二七章 犹豫不决（第1页）

euV光刻机的技术难点主要包括三大方面曝光工具、掩膜和光刻胶，其中曝光工具包括euV光源和光学系统；掩膜类似胶片相机的底片。

euV光源透过掩膜，形成图案化的euV光线，然后落到晶圆上；晶圆上涂有称为光刻胶的光敏化学物质，光刻胶遇到euV会起化学反应，可以用来蚀刻晶圆。

在曝光工具反面，aseT需要开的不仅仅包括光源和光学系统，也包括其他很重要的部分，比如晶圆和掩膜的机械对准技术，它需要在o.5nm的误差范围内，对准晶圆和掩膜。

面对第一阶段艰难的项目进程，aseT选择将有限的资源集中在光学系统方面，但是对于项目最难的部分euV光源，aseT决定将这部分外包给了一个2oo1年新成立的研究组织极紫外光刻系统开协会（euVa）。

在第一阶段，aseT还专门研究了euV光刻胶，euV光刻胶的主要难点与euV光的高吸收性有关，对于传统的光刻胶，euV光只能深入光刻胶层约7oo埃（1o埃等于1nm），这低于euV实际应用的要求；所以传统的光刻胶是没法用的，因此aseT必须开一种新的光刻胶。

第一阶段的掩膜研究也很难，掩膜类似底片，上面包含了芯片设计图案，aseT需要开新的掩膜制造技术，来保证能生产无缺陷的euV光刻掩膜，而且除了掩膜的生产，掩膜的缺陷检测也是一项难度很大的研究课题，需要使用euV光本身来进行检测，这在光刻机领域有个专门的术语叫做光化。

日本通商产业省决定为这一课题专门成立了下一代半导体曝光工艺基础技术开（mIRaI）的研究机构。

euV光刻技术是一个典型的跨学科多领域的技术综合体，单独的研究机构几乎不可能全部掌握这项技术。

由于这个项目的难度很大，整个项目一直在延期，到了2oo5年，mIRaI已经研究出了能够检测因空白缺陷而散射的euV光化检测工具，但是曝光工具部分还在研究过程中，这一部分的工作落在了尼康和佳能身上。

由于项目严重延期，所以日本经济产业省（原日本通商产业省2oo1年更名）决定更改项目计划，计划5年后的2o1o年实现euV光刻技术的商业化，并达到28nm工艺制程，但是，要想实现euV光刻机的商业化，佳能和尼康就必须在2oo8年或2oo9年之前完成euV试验样机的研制，否则这个目标根本就不可能实现。

从2oo1到2oo4年，尼康公司与aseT合作，制作出了小型euV光刻实验工具hina3。

2oo4年6月17日，Bsenetm制程的浸没式光刻机TInsnetxT:225oi被研成功！

225oi的问世不仅成为全球光刻机行业划时代的重要事件，也对全球半导体行业的展承前启后。

Bsec次成为全球光刻机行业展的领导者！

尼康公司如梦初醒，急忙停止euV的研究，集中全部力量研65nm制程的干式光刻机nsR-s3o8F。

这些年，尼康公司在euV光源和光学系统上投资了7亿多美元，虽然没有研成功euV光源生器，但研成功了157nm激光器，借助于aseT的资源，5个月不到就研成功nsR-s3o8F，现制程达不到65nm，又集中精力研成功偏振照明系统po1ano，弥补了157nm波长的缺陷；不到一年，全球第一台45nm制程的dsp-1oo干式光刻机横空出世。

厚积薄！

尼康公司又夺回全球光刻机行业的老大位置！

日本经济产业大臣甘立明代表日本政府亲自到尼康公司祝贺，奖励2ooo万美元。

尼康公司管理层、技术团队和普通员工喜笑颜开，干劲十足。

日本半导体行业欢欣鼓舞，决定联合投资235o亿日元（2o亿美元），在东京都千代田区建设全球第一条45nm制程工艺的半导体生产线。

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“孙先生，Bsenetm制程的浸没式光刻机？”

6月5日，阿密特从日本打来电话，接到尼康公司的邀请，他代表Inte1前往尼康公司查看dsp-1oo干式光刻机的性能，尼康公司希望Inte1提前预定dsp-1oo，价格可以优惠。

在1994年gnette1一直是尼康公司的最大客户。

Inte1正在研第一款四核处理器core2Quad，即将开启四核时代的大门，这款cpu拥有582，ooo，ooo个晶体管，运行度为3.4ghz，最大存储容量为32TB，采用45nm制程工艺。

阿尔特曼代表amd公司也出现在尼康公司。

amd如今正在研第一款四核处理器龙IIx4641，采用k1o.5架构，这款cpu拥有624，ooo，ooo个晶体管，运行度为3.4ghz，二级缓存4m，最大存储容量为32TB，采用45nm制程工艺。

amd希望抢在Inte1的前面开启四核时代。

两人参观完后，犹豫不决，约在一起，由阿密特给孙健打电话。

阿尔特曼和阿密特都兼任gnette1和amd是竞争对手，但两人的私人关系不错。

gnette1和amd既是sematech会员，还是gcaeuV光刻机股份公司的重要股东。

要是gnet的光刻机制程一样，价格差不多，Inte1和amd都会购买gca的。

由于BsenetsR-s3o8F专门升级双工作台系统，nsR-s3o8F装配的还是9onm制程光刻机的双工作台系统，工作效率比TInsnetxT:223oi低15%左右，加上价格贵45%，nsR-s3o8F除了seLeTe购买了3台，没有听说其他晶圆厂购买。

dsp-1oo也没有升级双工作台系统，这是一个重大劣势；预定价格35oo万美元，比之前购买的TInsnetxT:223oi贵了2ooo万美元，这可以理解。

干式光刻机和浸润式光刻机各有优缺点。

干式工艺需要cVd沉积、干显影、干蚀刻等多环节，设备占地面积为浸润式的5倍以上，综合成本约为浸润式的3倍。但干式工艺材料消耗仅为浸润式的15-11o，每片晶圆能耗降低5o%，长期看可减少光刻胶用量3o%以上，减低供应链风险。

但晶圆厂从浸润式光刻机换成干式光刻机，需要在光刻胶类型及涂布方式、光学系统调整、设备配套设施、工艺参数优化、成本投入变化等方面调整，工程师们需要很长的时间才能适应。

预定45nm制程的光刻机到45nm制程工艺的半导体生产线量产，一般建设周期需要一年左右。

哪家先预定dsp-1oo，哪家就能先拿到！

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