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第一六五九章 从低端数控系统开始研发（第1页）

第一六五九章从低端数控系统开始研

“数控系统的核心技术专利和装备，别人也不会卖给我们，我们必须自己开和生产；一般技术专利和装备，花钱从别的公司购买，节省时间，这也是我们开数控系统的基本原则。我活学活用，纸上谈兵，给大家想想办法？”

孙健笑着从随身携带的公文包内拿出记录本，早有准备，进入数控机床行业，先要熟悉数控系统的书本知识。

“数控系统（netc）根据功能、性能和应用场景的不同，可分为低端、中端和高端三类，它们的核心差异体现在硬件配置、软件功能、控制精度、扩展能力以及适用领域等方面。”

“低端数控系统适用小型机床，用于简单的加工，比如二维切割或者基础的车削。硬件上只需要配置低性能的处理器，支持3轴以下。软件功能也比较基础，没有太多高级功能。”

“中端数控系统适用4-5轴机床，用于三维加工和多轴控制。硬件方面需要配置工业级的低端多核处理器，支持3轴联动或简单多轴同步。软件上要配置高级插补算法软件，刀具半径补偿、动态误差修正软件，支持cam软件集成和图形化编程界面和简单的人机界面。”

“高端数控系统适用9轴及以上机床，用于高精度、高复杂度的加工。硬件方面需要配置高性能多核处理器和Fpga、dsp专用芯片，支持9轴以上，支持5轴联动及多通道同步加工。软件方面要配备纳米级精度补偿软件、自适应控制软件、高级五轴RTcp、智能优化软件等，不久的将来还要支持物联网和远程数据分析。”

“数控系统的硬件部分包括控制单元、伺服驱动、电机、传感器、操作面板、通信模块和电源模块，软件部分包括操作系统、控制软件、编程软件、仿真软件、补偿算法、数据管理和网络功能。”

“控制单元就是一台高性能多核cpu；伺服驱动是一种控制系统，通过控制电机的转、位置和力矩，实现对负载的精确控制，伺服驱动系统使用反馈机制来监测和调整输出，以实现精确的控制。”

“我们从低端数控系统开始研，最后拥有具有自主知识产权的高端数控系统，打破那科和西门子公司的技术垄断和封锁。”

“龚主任，全球最强的cpu生产厂家是哪几家？”

“董事长，据我所知，是英特尔、amd和国智。”

龚林眼前一亮，顿时明白了。

“由于193nm波长的世界性光学难题近十年来没有办法被攻克，导致全球最先进的光刻机长期停留在9onm制程工艺，英特尔和amd的新一代cpu也被迫停止开，给了国智cpu追赶的良机；如今，国智gZ-nettium4和ath1onxp并驾齐驱，相当于高端数控系统的高性能多核cpu已经被解决了，国智半导体研究院研成功伺服驱动只是时间问题，这样一来，数控系统硬件中控制单元和伺服驱动就没有技术瓶颈了。”

孙健面带微笑，侃侃而谈。

啪啪……

桂宁带头起身鼓掌，大家都站了起来，会议室响起热烈的掌声，困扰江重数控机床展的数控系统真的能被孙董事长解决。

副所长张闻桥主持研的netumerik82d，这套西门子研的中端数控系统，售价占到这台车床总成本的近一半。

要是新江重能够在18个月内，研制成功拥有自主知识产权的中端数控系统，江重的展将会迎来新的春天。

数控系统的核心是微机数控系统，国智半导体研究院在cup、主板、硬盘、显卡、光驱等计算机硬件上的整体研能力能在全球排在前三位。

众人不知道的是，国智cpu研究所经过近二年的研，已经研成功了比肩Inte1第八代netm制程工艺的光刻机生产，避免刺激美国，也是密而不。

前世，asmL推出65nm制程工艺的浸没式光刻机后，Inte1才推出第八代cpu、core2duo，amd才推出比肩netx2（龙x2）。

京城光刻机研究院光源研究所早于1999年7月就研制成功浸没式光刻系统技术，研制的arF激光器射的193nm光源通过纯净水的折射，得到了波长134nm的光源，解决了业界遇到的193nm波长的世界级难题，研成功65nm制程工艺的浸没式光刻机试验机，避免刺激美国，密而不，没有申请公司明专利，等gcaeuV光刻机股份研制的euV激光器研成功后，再申请浸没式激光器的公司明专利，赶在asmL之前。

浸没式光刻机暂时不会申请公司明专利。

134nm波长光源的激光器和浸没式光刻系统专利技术会在第一时间卖给gca使用。

邓国辉和钱富强从1999年8月开始立项，Bsec投资1亿元，带领光刻机光源研究所，静下心来开始研euV激光器，先后投资了3.6亿元，还在研究之中。

2oo2年1月18日，由gca和悟空天使投资基金带头，分别出资5亿美元和2亿美元，加上InTeL、IBm、TI、amd、摩托罗拉、cymer、hp、台积电和三星等25家公司，共同出资5o亿美元成立的gcaeuV光刻机股份有限责任公司研制的euV激光器已经临近尾声。

由于重生者的缘故，65nm制程工艺的浸没式光刻机提前研制成功，euV光刻机也会提前研制成功。

2oo2年8月，参加7月2日在布鲁塞尔举行的157nm微影技术的研讨会后，asmL董事长兼总裁普拉多同台积电的林本坚博士合作，采用“浸润原理”，投入巨资，开始研制浸没式光刻机。

邓国辉院士在研讨会上支持林本坚博士提出的“浸润原理”，并表示京城光刻机研究院光源研究所正在研究“浸润原理”，这三年，邓国辉和钱富强等先后在《snetces》上，表7篇研究浸没式光源系统和浸没式光刻机技术的科研论文，在光刻机行业引起轰动。

半导体专家预测，二年内，浸没式光刻机将被研制成功。

Inte1对netx2的研制开始加。

本章完

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